HP计划推出固态磁盘存储阵列产品

    在继EMC、IBM和SUN公司之后，惠普公司也将计划提供基于闪存技术的SSD（固态磁盘）产品。HP StorageWorks的一位资深工程师Jieming Zhu近日向媒体透露说，惠普“不久”就会宣布在其磁盘阵列中增加对SSD的支持，但是他没有说明具体的上市时间。

    他表示，虽然就目前来看，SSD的成本是普通硬盘的10倍之多，但是SSD能够提供更强劲的性能，而且更节能，也更可靠，价格不久也会快速下降。“虽然传统硬盘技术在过去多年来已经取得了不少突破和发展，但是延迟问题始终没有得到很好的解决。”

    Jieming Zhu认为SSD会对整个存储架构产生一种具有深远意义的影响。

    不过，他也提到，NAND闪存技术并非完美，它也同样存在不足。NAND 闪存有限的擦写次数（50-100万次）对于消费电子设备来说不是什么问题，但要想应用在企业级领域，需要增加一个新的软件层，这会增加复杂度。另外NAND在密度上也有限制。当然，这一技术还会进一步演化。“好比内存技术，它的演进也经历了很长一段时间。”

     Jieming Zhu看到，最终NVRAM（非易失性随机存取存储器）会取代NAND，包括phase-change RAM（相变化随机存取记忆体）、spin torque RAM（旋转力矩转移随机存取记忆体）和HP自己的memristor技术。据了解，NVRAM内存可以在关闭电源的情况下不丢失内存中的数据内容，一种NVRAM是SRAM，可以在断电时及时使用备用的电源如电池，另一种NVRAM是使用EEPROM芯片来在断电时保存其中的内容。

    “就当前的情况而言，NAND是足够用的，而且技术会进一步发展，但是在30纳米制程工艺之后，我们需要寻找新的替代品。”他谈到。另外，闪存技术最终需要操作系统层面做出改变，如文件系统和内存管理方面。

     实际上，由于这几年来制程技术发展相当迅速，各界已经开始寻找NAND闪存的下个接班人。近日就已经有日本厂商发发布了一种Ferroelectric Nand Flash(FNF)，重复读写次数可高达1亿次，超越了传统NAND的技术障碍，对于各界担心NAND闪存制程在30纳米以下会遇到瓶颈，FNF技术也号称可支持到10纳米制程，可望成为NAND Flash未来的接班人。