英特尔采用3D晶体管技术开发全新凌动芯片架构英特尔正在开发一款采用3D晶体管技术的凌动芯片架构。英特尔在加速节能芯片的开发进程，以进入智能手机和平板电脑芯片市场。 英特尔正在开发一款采用3D晶体管技术的凌动芯片架构。英特尔在加速节能芯片的开发进程，以进入智能手机和平板电脑芯片市场。 消息人士透露，代号为Silvermont的新款凌动芯片将于2013年发售。采用3D晶体管技术的Silvermont在整合度、性能和效能比方面将达到一个全新的水平。 与未来所有的凌动芯片一样，Silvermont也采用片上系统设计。凌动芯片的发展速度快于摩尔定律。目前的凌动芯片采用45纳米工艺，今年晚些时候将升级到32纳米。 上述消息人士称，尽管细节还不清楚，Silvermont旨在利用22纳米工艺和3D晶体管技术。预计英特尔将在本周的分析师会议上披露更多的凌动片上系统开发计划。
责编：张欢  微信扫一扫实时了解行业动态 著作权声明：畅享网文章著作权分属畅享网、网友和合作伙伴，部分非原创文章作者信息可能有所缺失，如需补充或修改请与我们联系，工作人员会在1个工作日内配合处理。 |
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